ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در اتصالات تونل زنی مبتنی بر لایه هایmgo

در این کار ما به مطالعه خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در یک سه لایه ای مغناطیسی می پردازیم. اتصالات تونلی (mtj) بعلت داشتن ویژگی های منحصر به فرد ازجمله مقاومت مغناطیسی (tmr) بالا مورد توجه قرار گرفته اند. ساختار مورد بررسی به طور خاص fe-mgo-fe می باشد که به واسطه وجودfe بعنوان یک فرومغناطیس شاهد تغییر در انرژی الکتروستاتیکی ساختار باتغییر در حالتهای اسپینی اتم های مجاور بوسیله کوپل شدن حالت های فلزی به نوارهای موهومی 1? و 5? درحالت های موازی و پادموازی خواهیم بود. mgo نیز یک عایق بلوری است که به عنوان یک فیلتر متقارن در ساختار بکار می رود؛ این ساختاربه دلیل کاربردهای پتانسیل در حافظه های مغناطیسی تصادفی (mram)و حسگرهای میدان مغناطیسی بسیار مفید است و می تواند در طراحی ادوات اسپینترونیکی مورد کاربرد قرارگیرد؛ در عمل این مزیت تحت عنوان مقاومت تونلی تعریف می شود. از آن جا که شرط لازم برای ایجاد ترابرد در یک ماده آشفتگی در تابع توزیع آن است، خواص ترابرد الکتریکی را به روش کوانتومی با رهیافت تابع گرین غیرتعادلی بررسی می کنیم. عدم تعادل در ساختار فوق ناشی از اعمال ولتاژ، تغییر ضخامت طولی قطعه و اعمال گرادیان های دمایی می باشد. در ابتدا در چارچوب بستگی قوی ساختار را در نظر گرفتیم؛ از آن جا که بین مقادیر پیش بینی شده در روش های بس ذره ای و روش های تجربی تنگ بست اختلاف وجود دارد، ساختار فوق را به روش kkr (کورینگا-کان-روستوکر)، نیز بررسی کرده و و وابستگی مقاومت مغناطیسی تونلی به ولتاژ و ضخامت سد را مطالعه کرده ایم.